Conventionele kristallijne siliciumpanelen plaatsen metalen rasterlijnen op het vooroppervlak van de cel om stroom op te vangen. Dat raster blokkeert een deel van het binnenkomende zonlicht, en elke busbar of vinger die over de glaszijde wordt afgedrukt, vertegenwoordigt verloren fotonen die het silicium nooit bereiken. HPBC 2.0, of heterojunctie-gepassiveerde achtercontacttechnologie, verplaatst de gehele elektrodestructuur naar de achterkant van de cel. Het vooroppervlak wordt een continu, ononderbroken lichtabsorberend vlak, terwijl positieve en negatieve contacten op de achterkant in een in elkaar grijpend patroon zijn gerangschikt.
Dit is geen cosmetische verandering. Door de metallisatie aan de voorzijde te verwijderen, worden de schaduwverliezen geëlimineerd die doorgaans een meetbaar deel van de theoretische opbrengst van een paneel uitmaken. Gecombineerd met een N-type siliciumbasis, die een langere levensduur van minderheidsdragers en een lagere gevoeligheid voor veelvoorkomende onzuiverheden biedt dan P-type wafers, is het resultaat een celarchitectuur die begint met een hoger efficiëntieplafond voordat er zelfs maar met downstream-engineering wordt begonnen. Voor installateurs en eigenaren van activa is het praktische resultaat een module die meer energie per vierkante meter dakoppervlak produceert zonder dat grotere panelen nodig zijn, wat zich direct vertaalt in hogere levenslange inkomsten uit dezelfde fysieke voetafdruk.
